Справочник IGBT. MIXA50WB600TED

 

MIXA50WB600TED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIXA50WB600TED
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 29 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 65 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXA50WB600TED

 

 

MIXA50WB600TED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  ixys
 mixa50wb600ted.pdf

MIXA50WB600TED MIXA50WB600TED

MIXA50WB600TEDtentative3~ Brake 3~XPT IGBT ModuleRectifier Chopper InverterVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 650 VIDAV = 139 A IC25 = 29 A IC25 = 64 AIFSM = 550 A VCE(sat)= 2 V VCE(sat) = 1.6 V6-Pack + 3~ Rectifier Bridge & Brake Unit + NTCPart numberMIXA50WB600TEDBackside: isolated21 22816 18 207 15 17 1941 2 3 6 514 11 12 1391023 24Features / Advant

 8.1. Size:2181K  ixys
 mixa50pm650tmi.pdf

MIXA50WB600TED MIXA50WB600TED

MIXA50PM650TMItentativeVCES = 2x 650 VXPT IGBT ModuleIC25 = 75 AVCE(sat) = 1,6 VPhase leg with Multi LevelPart numberMIXA50PM650TMIBackside: isolatedNTh1E4 G4 E3 G3 E2 G2 E1 G1Th2UFeatures / Advantages: Applications: Package: MiniPack2B High level of integration AC motro control Isolation Voltage: V~3000 Rugged XPT design (Xtreme light Punch Thr

Другие IGBT... MIXA150R1200VA , MIXA20WB1200TMI , MIXA225PF1200TSF , MIXA225RF1200TSF , MIXA300PF1200TSF , MIXA30WB1200TMI , MIXA450PF1200TSF , MIXA50PM650TMI , CRG40T60AN3H , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED .

 

 
Back to Top