MIXD200W650TEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD200W650TEH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 680 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 280 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXD200W650TEH - IGBT
MIXD200W650TEH Datasheet (PDF)
mixd200w650teh.pdf
MIXD200W650TEHtentativeVCES = 650VXPT IGBT ModuleI= 280AC25VCE(sat) = 1.5VTrench IGBT6-Pack + NTCPart numberMIXD200W650TEHBackside: isolated30,31,32 16,17,181 5 9192 6 1027,28,29 24,25,26 21,22,23NTC203 7 114 8 1233,34,35 13,14,15Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack High level of integration - only one AC motor drives Iso
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