MIXD200W650TEH Todos los transistores

 

MIXD200W650TEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXD200W650TEH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 680 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 280 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MIXD200W650TEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  ixys
 mixd200w650teh.pdf pdf_icon

MIXD200W650TEH

MIXD200W650TEHtentativeVCES = 650VXPT IGBT ModuleI= 280AC25VCE(sat) = 1.5VTrench IGBT6-Pack + NTCPart numberMIXD200W650TEHBackside: isolated30,31,32 16,17,181 5 9192 6 1027,28,29 24,25,26 21,22,23NTC203 7 114 8 1233,34,35 13,14,15Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack High level of integration - only one AC motor drives Iso

Otros transistores... MIXA50PM650TMI , MIXA50WB600TED , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , GT30F126 , MIXD50W650TED , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 .

History: APTGT75X120BTP3 | MM40G120L | FGH40T100SMD | IXBF50N360 | VS-150MT060WDF | STGW40H120F2 | 2MBI600VE-120-50

 

 
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