MIXD200W650TEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD200W650TEH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 680
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 280
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 320
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXD200W650TEH - IGBT
MIXD200W650TEH Datasheet (PDF)
mixd200w650teh.pdf
MIXD200W650TEHtentativeVCES = 650VXPT IGBT ModuleI= 280AC25VCE(sat) = 1.5VTrench IGBT6-Pack + NTCPart numberMIXD200W650TEHBackside: isolated30,31,32 16,17,181 5 9192 6 1027,28,29 24,25,26 21,22,23NTC203 7 114 8 1233,34,35 13,14,15Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack High level of integration - only one AC motor drives Iso
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Liste
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