MIXD200W650TEH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD200W650TEH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 680 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 280 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Encapsulados: MODULE
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MIXD200W650TEH datasheet
mixd200w650teh.pdf
MIXD200W650TEH tentative VCES = 650V XPT IGBT Module I= 280A C25 VCE(sat) = 1.5V Trench IGBT 6-Pack + NTC Part number MIXD200W650TEH Backside isolated 30,31,32 16,17,18 1 5 9 19 2 6 10 27,28,29 24,25,26 21,22,23 NTC 20 3 7 11 4 8 12 33,34,35 13,14,15 Features / Advantages Applications Package E3-Pack High level of integration - only one AC motor drives Iso
Otros transistores... MIXA50PM650TMI , MIXA50WB600TED , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , FGA60N65SMD , MIXD50W650TED , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 .
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