MIXD200W650TEH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MIXD200W650TEH  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 280 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXD200W650TEH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD200W650TEH даташит

 ..1. Size:141K  ixys
 mixd200w650teh.pdf pdf_icon

MIXD200W650TEH

MIXD200W650TEH tentative VCES = 650V XPT IGBT Module I= 280A C25 VCE(sat) = 1.5V Trench IGBT 6-Pack + NTC Part number MIXD200W650TEH Backside isolated 30,31,32 16,17,18 1 5 9 19 2 6 10 27,28,29 24,25,26 21,22,23 NTC 20 3 7 11 4 8 12 33,34,35 13,14,15 Features / Advantages Applications Package E3-Pack High level of integration - only one AC motor drives Iso

Другие IGBT... MIXA50PM650TMI, MIXA50WB600TED, MIXA600AF650TSF, MIXA600CF650TSF, MIXA600PF650TSF, MIXA60HU1200VA, MIXA60WH1200TEH, MIXA81WB1200TEH, FGA60N65SMD, MIXD50W650TED, MIXD600PF650TSF, MIXD80PM650TMI, MIXG120W1200TEH, MIXG180W1200TEH, MIXG240W1200TEH, MP6750, MP6752