Справочник IGBT. MIXD200W650TEH

 

MIXD200W650TEH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIXD200W650TEH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 280 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXD200W650TEH

 

 

MIXD200W650TEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  ixys
 mixd200w650teh.pdf

MIXD200W650TEH MIXD200W650TEH

MIXD200W650TEHtentativeVCES = 650VXPT IGBT ModuleI= 280AC25VCE(sat) = 1.5VTrench IGBT6-Pack + NTCPart numberMIXD200W650TEHBackside: isolated30,31,32 16,17,181 5 9192 6 1027,28,29 24,25,26 21,22,23NTC203 7 114 8 1233,34,35 13,14,15Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack High level of integration - only one AC motor drives Iso

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top