MIXD50W650TED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD50W650TED
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 71 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXD50W650TED - IGBT
MIXD50W650TED Datasheet (PDF)
mixd50w650ted.pdf
MIXD50W650TEDVCES = 650 VSix-PackIC25 = 71 ATrench XPT IGBTVCE(sat) typ. =1.55 VPart name (Marking on product)MIXD50W650TED15, 1625, 2615 91726 1023, 24E7287321, 22NTC19, 20Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E2-Pack" stand
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Liste
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