MIXD50W650TED IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD50W650TED
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 71 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Encapsulados: MODULE
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MIXD50W650TED datasheet
mixd50w650ted.pdf
MIXD50W650TED VCES = 650 V Six-Pack IC25 = 71 A Trench XPT IGBT VCE(sat) typ. =1.55 V Part name (Marking on product) MIXD50W650TED 15, 16 25, 26 1 5 9 17 2 6 10 23, 24 E72873 21, 22 NTC 19, 20 Pin configuration see outlines. 18 3 7 11 4 8 12 13, 14 27, 28 Features Application Package Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E2-Pack" stand
Otros transistores... MIXA50WB600TED , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , SGT50T65FD1PN , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 .
History: MP6752 | MIXD600PF650TSF
History: MP6752 | MIXD600PF650TSF
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