MIXD50W650TED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD50W650TED
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 190
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 71
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 130
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXD50W650TED - IGBT
MIXD50W650TED Datasheet (PDF)
mixd50w650ted.pdf
MIXD50W650TEDVCES = 650 VSix-PackIC25 = 71 ATrench XPT IGBTVCE(sat) typ. =1.55 VPart name (Marking on product)MIXD50W650TED15, 1625, 2615 91726 1023, 24E7287321, 22NTC19, 20Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E2-Pack" stand
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Liste
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