Справочник IGBT. MIXD50W650TED

 

MIXD50W650TED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIXD50W650TED
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 71 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MIXD50W650TED

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD50W650TED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ixys
 mixd50w650ted.pdf pdf_icon

MIXD50W650TED

MIXD50W650TEDVCES = 650 VSix-PackIC25 = 71 ATrench XPT IGBTVCE(sat) typ. =1.55 VPart name (Marking on product)MIXD50W650TED15, 1625, 2615 91726 1023, 24E7287321, 22NTC19, 20Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E2-Pack" stand

Другие IGBT... MIXA50WB600TED , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , GT30G124 , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 .

History: IRG4BC20UDPBF | IRG4BC20SD-S | 2SH28

 

 
Back to Top

 


 
.