MIXD50W650TED - аналоги и описание IGBT

 

MIXD50W650TED - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIXD50W650TED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 71 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXD50W650TED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD50W650TED даташит

 ..1. Size:202K  ixys
 mixd50w650ted.pdf pdf_icon

MIXD50W650TED

MIXD50W650TED VCES = 650 V Six-Pack IC25 = 71 A Trench XPT IGBT VCE(sat) typ. =1.55 V Part name (Marking on product) MIXD50W650TED 15, 16 25, 26 1 5 9 17 2 6 10 23, 24 E72873 21, 22 NTC 19, 20 Pin configuration see outlines. 18 3 7 11 4 8 12 13, 14 27, 28 Features Application Package Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E2-Pack" stand

Другие IGBT... MIXA50WB600TED , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , SGT50T65FD1PN , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.