MIXD600PF650TSF Todos los transistores

 

MIXD600PF650TSF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXD600PF650TSF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 850 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 960 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MIXD600PF650TSF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:218K  ixys
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MIXD600PF650TSF

MIXD600PF650TSFVCES = 2x 650 VXPT IGBT ModuleIC25 = 750 AVCE(sat) = 1.5 VPhase leg + free wheeling Diodes + NTCPart numberMIXD600PF650TSFBackside: isolatedE7287352 1 8 7 94310/116Features / Advantages: Applications: Package: SimBus F High level of integration - only one AC motor drives Isolation Voltage: 3000 V~ power semiconductor module required

Otros transistores... MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , FGH60N60SFD , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 .

History: IKFW90N65ES5

 

 
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