MIXD600PF650TSF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD600PF650TSF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 850 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: MODULE
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MIXD600PF650TSF datasheet
mixd600pf650tsf.pdf
MIXD600PF650TSF VCES = 2x 650 V XPT IGBT Module IC25 = 750 A VCE(sat) = 1.5 V Phase leg + free wheeling Diodes + NTC Part number MIXD600PF650TSF Backside isolated E72873 5 2 1 8 7 9 4 3 10/11 6 Features / Advantages Applications Package SimBus F High level of integration - only one AC motor drives Isolation Voltage 3000 V power semiconductor module required
Otros transistores... MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , GT30F126 , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 .
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