Справочник IGBT. MIXD600PF650TSF

 

MIXD600PF650TSF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIXD600PF650TSF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 850 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MIXD600PF650TSF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD600PF650TSF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:218K  ixys
 mixd600pf650tsf.pdf pdf_icon

MIXD600PF650TSF

MIXD600PF650TSFVCES = 2x 650 VXPT IGBT ModuleIC25 = 750 AVCE(sat) = 1.5 VPhase leg + free wheeling Diodes + NTCPart numberMIXD600PF650TSFBackside: isolatedE7287352 1 8 7 94310/116Features / Advantages: Applications: Package: SimBus F High level of integration - only one AC motor drives Isolation Voltage: 3000 V~ power semiconductor module required

Другие IGBT... MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , RJP63F3DPP-M0 , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 .

History: IRG4BC20UDPBF | IRG4BC20SD-S | 2SH28

 

 
Back to Top

 


 
.