MIXD600PF650TSF - аналоги и описание IGBT

 

MIXD600PF650TSF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIXD600PF650TSF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 850 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXD600PF650TSF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD600PF650TSF даташит

 0.1. Size:218K  ixys
 mixd600pf650tsf.pdf pdf_icon

MIXD600PF650TSF

MIXD600PF650TSF VCES = 2x 650 V XPT IGBT Module IC25 = 750 A VCE(sat) = 1.5 V Phase leg + free wheeling Diodes + NTC Part number MIXD600PF650TSF Backside isolated E72873 5 2 1 8 7 9 4 3 10/11 6 Features / Advantages Applications Package SimBus F High level of integration - only one AC motor drives Isolation Voltage 3000 V power semiconductor module required

Другие IGBT... MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , GT30F126 , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 .

History: MIG10Q806HA | MIXA60WH1200TEH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.