MIXD80PM650TMI Todos los transistores

 

MIXD80PM650TMI - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXD80PM650TMI
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 108 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MIXD80PM650TMI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  ixys
 mixd80pm650tmi.pdf pdf_icon

MIXD80PM650TMI

MIXD80PM650TMIIC80 (T1/T4) = 82 AIGBT ModulesIC80 (T2/T3) = 110 AMulti LevelVCES = 650 VXPT IGBT TechnologyVCE(sat) typ. = 1.5 VPart name (Marking on product)MIXD80PM650TMITh1 +D1NTCT1G1E1Th2D5D2T2G2E2N UD3T3G3E3D6D4T4G4E4_Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor control Compatibl

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: CM150TX-24S1 | BSM300GB120DLC | MMG400D060B6TC | CM50TF-12H | IXXH50N60C3 | IXBX28N300HV | IXGA48N60C3

 

 
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