MIXD80PM650TMI - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD80PM650TMI
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 108 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXD80PM650TMI - IGBT
MIXD80PM650TMI Datasheet (PDF)
mixd80pm650tmi.pdf
MIXD80PM650TMIIC80 (T1/T4) = 82 AIGBT ModulesIC80 (T2/T3) = 110 AMulti LevelVCES = 650 VXPT IGBT TechnologyVCE(sat) typ. = 1.5 VPart name (Marking on product)MIXD80PM650TMITh1 +D1NTCT1G1E1Th2D5D2T2G2E2N UD3T3G3E3D6D4T4G4E4_Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor control Compatibl
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Liste
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