MIXD80PM650TMI - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXD80PM650TMI
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 275
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 108
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 130
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXD80PM650TMI - IGBT
MIXD80PM650TMI Datasheet (PDF)
mixd80pm650tmi.pdf
MIXD80PM650TMIIC80 (T1/T4) = 82 AIGBT ModulesIC80 (T2/T3) = 110 AMulti LevelVCES = 650 VXPT IGBT TechnologyVCE(sat) typ. = 1.5 VPart name (Marking on product)MIXD80PM650TMITh1 +D1NTCT1G1E1Th2D5D2T2G2E2N UD3T3G3E3D6D4T4G4E4_Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor control Compatibl
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Liste
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