MIXD80PM650TMI Todos los transistores

 

MIXD80PM650TMI - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXD80PM650TMI
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 108 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MIXD80PM650TMI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  ixys
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MIXD80PM650TMI

MIXD80PM650TMIIC80 (T1/T4) = 82 AIGBT ModulesIC80 (T2/T3) = 110 AMulti LevelVCES = 650 VXPT IGBT TechnologyVCE(sat) typ. = 1.5 VPart name (Marking on product)MIXD80PM650TMITh1 +D1NTCT1G1E1Th2D5D2T2G2E2N UD3T3G3E3D6D4T4G4E4_Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor control Compatibl

Otros transistores... MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , MIXD600PF650TSF , SGT50T65FD1PN , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 , MSAGA11F120D .

History: IRG4PC30FD | IRG4BC30K | IXEN60N120 | IXSM30N60 | SPM1006 | SII75N06 | MKI100-12F8

 

 
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