MIXD80PM650TMI - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIXD80PM650TMI

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 108 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXD80PM650TMI

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD80PM650TMI даташит

 ..1. Size:233K  ixys
 mixd80pm650tmi.pdf pdf_icon

MIXD80PM650TMI

MIXD80PM650TMI IC80 (T1/T4) = 82 A IGBT Modules IC80 (T2/T3) = 110 A Multi Level VCES = 650 V XPT IGBT Technology VCE(sat) typ. = 1.5 V Part name (Marking on product) MIXD80PM650TMI Th1 + D1 NTC T1 G1 E1 Th2 D5 D2 T2 G2 E2 N U D3 T3 G3 E3 D6 D4 T4 G4 E4 _ Features Application Package Easy paralleling due to the positive AC motor control Compatibl

Другие IGBT... MIXA600CF650TSF, MIXA600PF650TSF, MIXA60HU1200VA, MIXA60WH1200TEH, MIXA81WB1200TEH, MIXD200W650TEH, MIXD50W650TED, MIXD600PF650TSF, IHW20N120R3, MIXG120W1200TEH, MIXG180W1200TEH, MIXG240W1200TEH, MP6750, MP6752, MP6753, MP6757, MSAGA11F120D