MIXD80PM650TMI - аналоги и описание IGBT

 

MIXD80PM650TMI - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIXD80PM650TMI

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 108 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXD80PM650TMI

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXD80PM650TMI даташит

 ..1. Size:233K  ixys
 mixd80pm650tmi.pdf pdf_icon

MIXD80PM650TMI

MIXD80PM650TMI IC80 (T1/T4) = 82 A IGBT Modules IC80 (T2/T3) = 110 A Multi Level VCES = 650 V XPT IGBT Technology VCE(sat) typ. = 1.5 V Part name (Marking on product) MIXD80PM650TMI Th1 + D1 NTC T1 G1 E1 Th2 D5 D2 T2 G2 E2 N U D3 T3 G3 E3 D6 D4 T4 G4 E4 _ Features Application Package Easy paralleling due to the positive AC motor control Compatibl

Другие IGBT... MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , MIXD600PF650TSF , IHW20N120R3 , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 , MSAGA11F120D .

History: IKA08N65ET6 | IKB40N65EF5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.