NXH80T120L2Q0 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NXH80T120L2Q0
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 146 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.17 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 592 pF
Encapsulados: MODULE
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NXH80T120L2Q0 datasheet
nxh80t120l2q0.pdf
NXH80T120L2Q0PG, NXH80T120L2Q0SG Advance Information T-Type, Neutral Point Clamp Module www.onsemi.com This high-density, integrated power module combines high-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sine wave inverter applications. 80 A, 1200 V (Bridge) 50 A, 600 V (Neutral Point Clamp) Features T Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with
nxh80t120l2q0pg.pdf
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History: MP6753
History: MP6753
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