Справочник IGBT. NXH80T120L2Q0

 

NXH80T120L2Q0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NXH80T120L2Q0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.17 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 592 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NXH80T120L2Q0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  onsemi
 nxh80t120l2q0.pdf pdf_icon

NXH80T120L2Q0

NXH80T120L2Q0PG,NXH80T120L2Q0SGAdvance InformationT-Type, Neutral PointClamp Modulewww.onsemi.comThis high-density, integrated power module combineshigh-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sinewave inverter applications.80 A, 1200 V (Bridge)50 A, 600 V (Neutral Point Clamp)FeaturesT Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with

 0.1. Size:175K  onsemi
 nxh80t120l2q0pg.pdf pdf_icon

NXH80T120L2Q0

NXH80T120L2Q0PG,NXH80T120L2Q0SGAdvance InformationT-Type, Neutral PointClamp Modulewww.onsemi.comThis high-density, integrated power module combineshigh-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sinewave inverter applications.80 A, 1200 V (Bridge)50 A, 600 V (Neutral Point Clamp)FeaturesT Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SGM50PA12A6BTFD | AUIRGS4062D1 | IXGP12N100

 

 
Back to Top

 


 
.