PDMB200E6 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDMB200E6
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 780 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
PDMB200E6 Datasheet (PDF)
pdmb200e6.pdf
QS043-402-203922/5 94.00.258012.0 11.0 12.0 11.0 12.0 7(G2)2-6.56(E2)7(C2E1) (E2) (C1)1 2 361 2 3545(E1)4(G1)3-M5 23.0 23.0 17.0
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: NCE20TD60BP | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | SPL40N120 | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | AOK40B60D1
History: NCE20TD60BP | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | SPL40N120 | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | AOK40B60D1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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