PDMB200E6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDMB200E6 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 780 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS

Encapsulados: MODULE

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

PDMB200E6 datasheet

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QS043-402-20392 2/5 94.0 0.25 80 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 7(G2) 2- 6.5 6(E2) 7 (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 6 1 2 3 5 4 5(E1) 4(G1) 3-M5 23.0 23.0 17.0