PDMB200E6 Todos los transistores

 

PDMB200E6 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDMB200E6

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 780

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 200

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 150

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: MODULE

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PDMB200E6 Datasheet (PDF)

1.1. pdmb200e6.pdf Size:253K _nippon

PDMB200E6
PDMB200E6

QS043-402-20392(2/5) PDMB200E6 IGBT Module-Dual 200A,600V □ 回 路 図 : CIRCUIT □ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING 94.0 ±0.25 80 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 7(G2) 2-Ø6.5 6(E2) 7 (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 6 1 2 3 5 4 5(E1) 4(G1) 3-M5 23.0 23.0 17.0

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