Справочник IGBT. PDMB200E6

 

PDMB200E6 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: PDMB200E6
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

PDMB200E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  nippon
 pdmb200e6.pdf pdf_icon

PDMB200E6

QS043-402-203922/5 94.00.258012.0 11.0 12.0 11.0 12.0 7(G2)2-6.56(E2)7(C2E1) (E2) (C1)1 2 361 2 3545(E1)4(G1)3-M5 23.0 23.0 17.0

Другие IGBT... MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 , MSAGA11F120D , MUBW30-12A6 , NXH80T120L2Q0 , NXH80T120L2Q0PG , MBQ50T65FDSC , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 .

History: IRGB6B60K | NGTB40N60FL2WG | NGTG15N120FL2WG | APT20GF120BRG | OST75N65HSXF | IRGI4086 | IXA20PG1200DHGLB

 

 
Back to Top

 


 
.