PDMB200E6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: PDMB200E6  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для PDMB200E6

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PDMB200E6 даташит

 ..1. Size:253K  nippon
 pdmb200e6.pdf pdf_icon

PDMB200E6

QS043-402-20392 2/5 94.0 0.25 80 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 7(G2) 2- 6.5 6(E2) 7 (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 6 1 2 3 5 4 5(E1) 4(G1) 3-M5 23.0 23.0 17.0

Другие IGBT... MP6750, MP6752, MP6753, MP6757, MSAGA11F120D, MUBW30-12A6, NXH80T120L2Q0, NXH80T120L2Q0PG, CRG40T65AK5HD, PM100CBS060, PM15CMA060, PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, PSTG50HST12