PSTG25HDT12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSTG25HDT12  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 45 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 340 pF

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PSTG25HDT12 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PSTG25HDT12 datasheet

 ..1. Size:122K  powersem
 pstg25hdt12.pdf pdf_icon

PSTG25HDT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s G NTC H C M BA L N Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for

 7.1. Size:212K  powersem
 pstg25htt12.pdf pdf_icon

PSTG25HDT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25 C;

Otros transistores... NXH80T120L2Q0, NXH80T120L2Q0PG, PDMB200E6, PM100CBS060, PM15CMA060, PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, IRGP4086, PSTG25HTT12, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF