PSTG25HDT12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSTG25HDT12
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 45
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 35
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 17
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 340
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de PSTG25HDT12 - IGBT
PSTG25HDT12 Datasheet (PDF)
pstg25hdt12.pdf
ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s GNTCHCM BAL NFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for
pstg25htt12.pdf
ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25C;
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Liste
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