PSTG25HDT12 Todos los transistores

 

PSTG25HDT12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PSTG25HDT12
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 45 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 340 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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PSTG25HDT12 Datasheet (PDF)

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PSTG25HDT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s GNTCHCM BAL NFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for

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PSTG25HDT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25C;

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SGW20N60HS | CPV364M4UPBF | CRG40T65AN5HD | MGF65A6H | IRG7PH30K10 | TA49123 | G50T65D

 

 
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