Справочник IGBT. PSTG25HDT12

 

PSTG25HDT12 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: PSTG25HDT12
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

PSTG25HDT12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  powersem
pstg25hdt12.pdfpdf_icon

PSTG25HDT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s GNTCHCM BAL NFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for

 7.1. Size:212K  powersem
pstg25htt12.pdfpdf_icon

PSTG25HDT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25C;

Другие IGBT... NXH80T120L2Q0 , NXH80T120L2Q0PG , PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , CRG15T120BNR3S , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF .

History: FGH60N60UFD | IXGH32N60BU1 | IRGS4056D | OST20N135HRF | OST30N65HMF | IRGP4069

 

 
Back to Top

 


 
.