PSTG25HTT12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSTG25HTT12
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 45 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 510 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
PSTG25HTT12 Datasheet (PDF)
pstg25htt12.pdf

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25C;
pstg25hdt12.pdf

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s GNTCHCM BAL NFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD | IXGP12N100
History: AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD | IXGP12N100



Liste
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