PSTG25HTT12 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: PSTG25HTT12
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF
Тип корпуса: MODULE
PSTG25HTT12 Datasheet (PDF)
pstg25htt12.pdf

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25C;
pstg25hdt12.pdf

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s GNTCHCM BAL NFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for
Другие IGBT... NXH80T120L2Q0PG , PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , NGD8201N , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m