PSTG25HTT12 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: PSTG25HTT12

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для PSTG25HTT12

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PSTG25HTT12 даташит

 ..1. Size:212K  powersem
 pstg25htt12.pdf pdf_icon

PSTG25HTT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HTT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Triple Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB TC = 25 C;

 7.1. Size:122K  powersem
 pstg25hdt12.pdf pdf_icon

PSTG25HTT12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 25HDT12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 35 A IC75 = 25 A ICM = 75 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s G NTC H C M BA L N Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for

Другие IGBT... NXH80T120L2Q0PG, PDMB200E6, PM100CBS060, PM15CMA060, PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, PSTG25HDT12, NGD8201N, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF, GT40QR21