PSTG75HST12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSTG75HST12
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 136 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 109 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 510 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de PSTG75HST12 IGBT
PSTG75HST12 Datasheet (PDF)
pstg75hst12.pdf
ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 75HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 109 A IC75 = 75 A ICM = 225 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s ILNHJMB EGAFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering p
Otros transistores... PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , SGH80N60UFD , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 .
Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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