PSTG75HST12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSTG75HST12
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 136
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 109
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 17
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 510
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de PSTG75HST12 - IGBT
PSTG75HST12 Datasheet (PDF)
pstg75hst12.pdf
ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 75HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 109 A IC75 = 75 A ICM = 225 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s ILNHJMB EGAFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering p
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Liste
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