PSTG75HST12 Todos los transistores

 

PSTG75HST12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSTG75HST12

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 136

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 109

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 17

Capacitancia de salida (Cc), pF: 510

Empaquetado / Estuche: MODULE

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PSTG75HST12 Datasheet (PDF)

1.1. pstg75hst12.pdf Size:140K _powersem

PSTG75HST12
PSTG75HST12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 75HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 109 A IC75 = 75 A ICM = 225 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 µs I L N H J M B E G A Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25°C to 150°C 1200 V VCES • Package with DCB ceramic base continous V VGES ±20 plate and soldering p

Otros transistores... PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , G7N60C , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , , , , .

 

 
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