PSTG75HST12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: PSTG75HST12  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 109 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для PSTG75HST12

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PSTG75HST12 даташит

 ..1. Size:140K  powersem
 pstg75hst12.pdf pdf_icon

PSTG75HST12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 75HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 109 A IC75 = 75 A ICM = 225 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s I L N H J M B E G A Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering p

Другие IGBT... PM100CBS060, PM15CMA060, PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, PSTG50HST12, CRG15T120BNR3S, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF, GT40QR21, IHW15N120R2, IXBH15N140