PSTG75HST12 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: PSTG75HST12
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 109 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для PSTG75HST12
PSTG75HST12 Datasheet (PDF)
pstg75hst12.pdf

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 75HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 109 A IC75 = 75 A ICM = 225 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s ILNHJMB EGAFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering p
Другие IGBT... PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , SGH80N60UFD , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 .
History: BLG40T65FDL-W | APT65GP60L2DQ2G | DIM400DDM17-A | CM150DY-12H | CM1200HB-66H | SGTP5T60SD1DTR
History: BLG40T65FDL-W | APT65GP60L2DQ2G | DIM400DDM17-A | CM150DY-12H | CM1200HB-66H | SGTP5T60SD1DTR



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869