PSTG75HST12 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: PSTG75HST12

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 136

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 109

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 17

Емкость коллектора (Cc), pf: 510

Корпус: MODULE

Аналог (замена) для PSTG75HST12

PSTG75HST12 Datasheet (PDF)

1.1. pstg75hst12.pdf Size:140K _powersem

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 75HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 109 A IC75 = 75 A ICM = 225 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 µs I L N H J M B E G A Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25°C to 150°C 1200 V VCES • Package with DCB ceramic base continous V VGES ±20 plate and soldering p

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .