GT15Q102 Todos los transistores

 

GT15Q102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT15Q102

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 170

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: 2-16C1C

Búsqueda de reemplazo de GT15Q102 - IGBT

 

GT15Q102 Datasheet (PDF)

1.1. gt15q102.pdf Size:189K _1

GT15Q102
GT15Q102

GT15Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15Q102 High Power Switching Applications Unit: mm • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.32 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage VCES 1200 V

Otros transistores... PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , IRG4PH50UD , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 .

 

 
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