GT15Q102 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT15Q102

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 50

Корпус: 2-16C1C

Аналог (замена) для GT15Q102

GT15Q102 Datasheet (PDF)

1.1. gt15q102.pdf Size:189K _1

GT15Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15Q102 High Power Switching Applications Unit: mm • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.32 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage VCES 1200 V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .