MSG50N350FH Todos los transistores

 

MSG50N350FH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSG50N350FH

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 328

Tensión colector-emisor (Vce): 330

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.15

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 100

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 81

Capacitancia de salida (Cc), pF: 198

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MSG50N350FH - IGBT

 

MSG50N350FH Datasheet (PDF)

0.1. msg50n350fh.pdf Size:6593K _1

MSG50N350FH
MSG50N350FH

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

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