MSG50N350FH Todos los transistores

 

MSG50N350FH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSG50N350FH

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 328

Tensión colector-emisor (Vce): 330

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.15

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 100

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 81

Capacitancia de salida (Cc), pF: 198

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MSG50N350FH - IGBT

 

MSG50N350FH Datasheet (PDF)

1.1. msg50n350fh.pdf Size:6593K _1

MSG50N350FH
MSG50N350FH

MSG50N350FH Features  High Current Capability  Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A  High Input Impedance  RoHS Complaint Applications  PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V ±30 GES T =25℃ 100 C Collector Current I C T =100℃ 50 A C Pulsed Collector

Otros transistores... PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , 1MBH50D-060 , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 .

 

 
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