MSG50N350FH datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: MSG50N350FH 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MSG50N350FH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSG50N350FH даташит
msg50n350fh.pdf
MSG50N350FH Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collector
msg50n350fh.pdf
MSG50N350FH Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collector
msg50n350fqc.pdf
MSG50N350FQC Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collector
msg50n350hlc0.pdf
MSG50N350HLC0 Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 350 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collecto
Другие IGBT... PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, GT45F122, NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF, GT40QR21, IHW15N120R2, IXBH15N140, IXBH15N160, IXBH15N170
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555








