Справочник IGBT. MSG50N350FH

 

MSG50N350FH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MSG50N350FH

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 328

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.15

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 81

Емкость коллектора (Cc), pf: 198

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MSG50N350FH

 

 

MSG50N350FH Datasheet (PDF)

1.1. msg50n350fh.pdf Size:6593K _1

MSG50N350FH
MSG50N350FH

MSG50N350FH Features  High Current Capability  Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A  High Input Impedance  RoHS Complaint Applications  PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V ±30 GES T =25℃ 100 C Collector Current I C T =100℃ 50 A C Pulsed Collector

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top