Справочник IGBT. MSG50N350FH

 

MSG50N350FH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MSG50N350FH

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 328

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.15

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 81

Емкость коллектора (Cc), pf: 198

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MSG50N350FH

 

 

MSG50N350FH Datasheet (PDF)

0.1. msg50n350fh.pdf Size:6593K _1

MSG50N350FH
MSG50N350FH

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

Другие IGBT... PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , 1MBH50D-060 , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 .

 

 
Back to Top