MSG50N350FH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG50N350FH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG50N350FH
MSG50N350FH Datasheet (PDF)
msg50n350fh.pdf

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector
msg50n350fh.pdf

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector
msg50n350fqc.pdf

MSG50N350FQCFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector
msg50n350hlc0.pdf

MSG50N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 350CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collecto
Другие IGBT... PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , IKW30N60H3 , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555