BT40T60ANF Todos los transistores

 

BT40T60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT40T60ANF

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 280

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 80

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF: 170

Empaquetado / Estuche: TO3P

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BT40T60ANF Datasheet (PDF)

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BT40T60ANF
BT40T60ANF

绝缘栅双极型晶体管 R ○ BT40T60 ANF 概述 特征参数 BT40T60 ANF 采用先进的沟槽 FS IGBT 技术,具有良好的导 VCES 600 V 通和开关特性,易并联使用的特点。 IC 40 A 符合 RoHS 指令要求。 Ptot (TC=25℃) 280 W VCE(sat) 1.8 V 特点 封装:TO-3P(N) ● 沟槽 FS 技术,正温度系数; ● 低通态压降:

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