BT40T60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT40T60ANF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 280
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 170
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 165
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de BT40T60ANF - IGBT
BT40T60ANF Datasheet (PDF)
bt40t60anf.pdf
R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS
bt40t120ckf.pdf
R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;
bt40t120ckf.pdf
R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;
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Liste
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