BT40T60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT40T60ANF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 165 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de BT40T60ANF - IGBT
BT40T60ANF Datasheet (PDF)
bt40t60anf.pdf
R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS
bt40t120ckf.pdf
R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;
bt40t120ckf.pdf
R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;
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Liste
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