BT40T60ANF Todos los transistores

 

BT40T60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BT40T60ANF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 165 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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BT40T60ANF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1322K  1
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BT40T60ANF

R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS

 9.1. Size:803K  crhj
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BT40T60ANF

R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

 9.2. Size:1203K  wuxi china
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BT40T60ANF

R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

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