BT40T60ANF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT40T60ANF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF

Encapsulados: TO3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BT40T60ANF IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BT40T60ANF datasheet

 ..1. Size:1322K  1
 bt40t60anf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3P N FS

 9.1. Size:803K  crhj
 bt40t120ckf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

 9.2. Size:1203K  wuxi china
 bt40t120ckf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

Otros transistores... PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, CRG75T65AK5HD, GT40QR21, IHW15N120R2, IXBH15N140, IXBH15N160, IXBH15N170, IXBH9N140, IXBH9N160, IXBT15N170