BT40T60ANF Todos los transistores

 

BT40T60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BT40T60ANF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 280
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 170
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 165
   Paquete / Cubierta: TO3P

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BT40T60ANF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1322K  1
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R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS

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BT40T60ANF
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R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

 9.2. Size:1203K  wuxi china
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BT40T60ANF
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R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

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