BT40T60ANF datasheet, аналоги, основные параметры

BT40T60ANF - это биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для эффективной коммутации в электронных системах средней и высокой мощности. Благодаря сочетанию структуры затвора на МОП-транзисторах с биполярным проводящим трактом это устройство обеспечивает высокое входное сопротивление, низкие потери на проводимость и надежную работу с током. Устройства BT40T60ANF широко используются в электроприводах, импульсных источниках питания, системах бесперебойного питания, оборудовании промышленной автоматизации.

Наименование: BT40T60ANF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BT40T60ANF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT40T60ANF даташит

 ..1. Size:1322K  1
 bt40t60anf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3P N FS

 9.1. Size:803K  crhj
 bt40t120ckf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

 9.2. Size:1203K  wuxi china
 bt40t120ckf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

Другие IGBT... PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, CRG75T65AK5HD, GT40QR21, IHW15N120R2, IXBH15N140, IXBH15N160, IXBH15N170, IXBH9N140, IXBH9N160, IXBT15N170