Справочник IGBT. BT40T60ANF

 

BT40T60ANF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BT40T60ANF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для BT40T60ANF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT40T60ANF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1322K  1
 bt40t60anf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T60 ANF BT40T60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 40 A RoHS Ptot TC=25 280 W VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS

 9.1. Size:803K  crhj
 bt40t120ckf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

 9.2. Size:1203K  wuxi china
 bt40t120ckf.pdf pdf_icon

BT40T60ANF

R BT40T120 CKF BT40T120 CKF VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;

Другие IGBT... PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , CRG40T60AK3HD , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 .

History: IXGP7N60B

 

 
Back to Top

 


 
.