GT40QR21 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT40QR21
Código: 40QR21
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 230
Tensión colector-emisor (Vce): 1200
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9
Tensión emisor-compuerta (Veg): 25
Corriente del colector DC máxima (Ic): 40
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 120
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO3P
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GT40QR21 Datasheet (PDF)
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GT40QR21 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT40QR21 GT40QR21 GT40QR21 GT40QR21 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching Applications Note: The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 6.5th generation (2) The RC-IGB
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