GT40QR21 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT40QR21

Código: 40QR21

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 230

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 25

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 120

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO3P

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GT40QR21 Datasheet (PDF)

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GT40QR21 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT40QR21 GT40QR21 GT40QR21 GT40QR21 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching Applications Note: The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 6.5th generation (2) The RC-IGB

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