GT40QR21 Todos los transistores

 

GT40QR21 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT40QR21
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 40QR21
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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GT40QR21 Datasheet (PDF)

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GT40QR21

GT40QR21Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT40QR21GT40QR21GT40QR21GT40QR211. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 6.5th generation(2) The RC-IGB

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