GT40QR21 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT40QR21

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT40QR21

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT40QR21 даташит

 ..1. Size:224K  1
 gt40qr21.pdf pdf_icon

GT40QR21

GT40QR21 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT40QR21 GT40QR21 GT40QR21 GT40QR21 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching Applications Note The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 6.5th generation (2) The RC-IGB

Другие IGBT... PSTG25HTT12, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF, SGP30N60, IHW15N120R2, IXBH15N140, IXBH15N160, IXBH15N170, IXBH9N140, IXBH9N160, IXBT15N170, FGH40T65SHDF_F155