Справочник IGBT. GT40QR21

 

GT40QR21 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT40QR21
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 40QR21
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT40QR21

 

 

GT40QR21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  1
 gt40qr21.pdf

GT40QR21 GT40QR21

GT40QR21Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT40QR21GT40QR21GT40QR21GT40QR211. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 6.5th generation(2) The RC-IGB

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top