IXBH9N160 Todos los transistores

 

IXBH9N160 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBH9N160
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
   Paquete / Cubierta: TO247AD
 

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Principales características: IXBH9N160

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 ixbh9n140 ixbh9n160.pdf pdf_icon

IXBH9N160

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160

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 ixbh9n160g.pdf pdf_icon

IXBH9N160

IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V - replaces hig

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 ixbh9n140-160.pdf pdf_icon

IXBH9N160

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160

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