IXBH9N160 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: IXBH9N160
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Тип корпуса: TO247AD
IXBH9N160 Datasheet (PDF)
ixbh9n140 ixbh9n160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160
ixbh9n160g.pdf
IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V - replaces hig
ixbh9n140-160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160
Другие IGBT... FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , GT30F131 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496




