Справочник IGBT. IXBH9N160

 

IXBH9N160 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXBH9N160

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 60

Емкость коллектора (Cc), pf: 36

Тип корпуса: TO247AD

Аналог (замена) для IXBH9N160

 

 

IXBH9N160 Datasheet (PDF)

0.1. ixbh9n160g.pdf Size:76K _ixys

IXBH9N160
IXBH9N160

IXBH 9N160GHigh Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 AMonolithic Bipolar VCES = 1600 VMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.tfi = 70 nsN-Channel, Enhancement ModeCTO-247 ADMOSFET compatibleGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTMVCES TJ = 25C to 150C 1600 V- replaces hig

7.1. ixbh9n140-160.pdf Size:55K _ixys

IXBH9N160
IXBH9N160

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160

 

Другие IGBT... FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXGH40N60B2D1 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 .

 

 
Back to Top