FGH40T65SHDF_F155 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FGH40T65SHDF_F155
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 268 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de FGH40T65SHDF_F155 - IGBT

FGH40T65SHDF_F155 Datasheet (PDF)

2.1. Size:498K 1
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IGBT - Field Stop, Trench650 V, 40 AFGH40T65SHDFDescriptionUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conductionwww.onsemi.comand switching performance and easy parallel operation. This deviceis well suited for the resonant or soft switching application such asCinduction heating and MWO.Features

2.2. Size:900K onsemi
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