FGH40T65SHDF_F155 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FGH40T65SHDF_F155
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 268 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 68 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

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FGH40T65SHDF_F155 Datasheet (PDF)

2.1. Size:915K 1
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May 2014FGH40T65SHDF650 V, 40 A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series offield stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingswitching performance and easy parallel operation. This device

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