FGH40T65SHDF_F155 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGH40T65SHDF_F155
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 68 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGH40T65SHDF_F155
FGH40T65SHDF_F155 Datasheet (PDF)
fgh40t65shdf.pdf
IGBT - Field Stop, Trench650 V, 40 AFGH40T65SHDFDescriptionUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conductionwww.onsemi.comand switching performance and easy parallel operation. This deviceis well suited for the resonant or soft switching application such asCinduction heating and MWO.Features
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209