FGH40T65SHDF_F155 - аналоги и описание IGBT

 

FGH40T65SHDF_F155 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGH40T65SHDF_F155

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGH40T65SHDF_F155

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGH40T65SHDF_F155 даташит

 2.1. Size:498K  1
 fgh40t65shdf.pdf pdf_icon

FGH40T65SHDF_F155

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A FGH40T65SHDF Description Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction www.onsemi.com and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as C induction heating and MWO. Features

 2.2. Size:900K  onsemi
 fgh40t65shdf.pdf pdf_icon

FGH40T65SHDF_F155

FGH40T65SHDF 650 V 40 A IGBT TJ =175 C IGBT IGBT

 3.1. Size:1508K  onsemi
 fgh40t65shd-f155.pdf pdf_icon

FGH40T65SHDF_F155

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , CRG75T60AK3HD , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD .

History: IRG7PSH54K10D | MMG100SR120UA

 

 

 


 
↑ Back to Top
.