FGH40T65SHDF_F155 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

FGH40T65SHDF_F155 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FGH40T65SHDF_F155
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FGH40T65SHDF_F155

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGH40T65SHDF_F155 Datasheet (PDF)

 2.1. Size:498K  1
 fgh40t65shdf.pdf pdf_icon

FGH40T65SHDF_F155

IGBT - Field Stop, Trench650 V, 40 AFGH40T65SHDFDescriptionUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conductionwww.onsemi.comand switching performance and easy parallel operation. This deviceis well suited for the resonant or soft switching application such asCinduction heating and MWO.Features

 2.2. Size:900K  onsemi
 fgh40t65shdf.pdf pdf_icon

FGH40T65SHDF_F155

FGH40T65SHDF650 V 40 A IGBT TJ =175C IGBT IGBT

 3.1. Size:1508K  onsemi
 fgh40t65shd-f155.pdf pdf_icon

FGH40T65SHDF_F155

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , TGPF30N43P , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD .

History: AP20G45EJ | AP28G45GEM | CPV364M4KPBF | MMG100D170B6EN | NGTB15N60EG | STGFW80V60F | SGT25T120FD1P7

 

 
Back to Top

 


 
.