FGPF30N45TTU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGPF30N45TTU
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 50.4
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 450
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120(Pulse)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.35
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 57
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 88
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 73
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de FGPF30N45TTU - IGBT
FGPF30N45TTU Datasheet (PDF)
fgpf30n45t.pdf
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April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw
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