FGPF30N45TTU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGPF30N45TTU
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 50.4
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 450
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120(Pulse)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.35
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 57
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 88
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 73
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de FGPF30N45TTU - IGBT
FGPF30N45TTU Datasheet (PDF)
fgpf30n45t.pdf
April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw
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Liste
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