FGPF30N45TTU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGPF30N45TTU

Código: FGPF30N45T

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50.4

Tensión colector-emisor (Vce): 450

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.35

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 120(Pulse)

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 57

Capacitancia de salida (Cc), pF: 88

Empaquetado / Estuche: TO220F

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FGPF30N45TTU Datasheet (PDF)

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April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

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