FGPF30N45TTU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGPF30N45TTU  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50.4 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120(Pulse) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 57 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 88 pF

Encapsulados: TO220F

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FGPF30N45TTU datasheet

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FGPF30N45TTU

April 2009 FGPF30N45T tm 450V, 30A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 30A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

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FGPF30N45TTU

April 2009 FGPF30N45T tm 450V, 30A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 30A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

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