FGPF30N45TTU - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGPF30N45TTU
Маркировка: FGPF30N45T
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50.4
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120(Pulse)
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 57
Емкость коллектора (Cc), pf: 88
Корпус: TO220F
Аналог (замена) для FGPF30N45TTU
FGPF30N45TTU Datasheet (PDF)
4.1. fgpf30n45t.pdf Size:605K _1
April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw
Другие IGBT... IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , 10N40C1D , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: FGL40N120AND | FGA40N65SMD | MGD622 | GT50N324 | BT60N60ANF | 2PG011 | MBQ40T65FDSC | IGF40T120F | FGPF30N45TTU | FGH40T65SHDF_F155 | IXBT15N170