FGPF30N45TTU - Аналоги. Основные параметры
Наименование: FGPF30N45TTU
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50.4 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120(Pulse) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 57 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FGPF30N45TTU
Технические параметры FGPF30N45TTU
fgpf30n45ttu.pdf
April 2009 FGPF30N45T tm 450V, 30A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 30A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw
fgpf30n45t.pdf
April 2009 FGPF30N45T tm 450V, 30A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 30A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw
Другие IGBT... IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGH75T65UPD , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement