FGPF30N45TTU - аналоги и описание IGBT

 

FGPF30N45TTU - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGPF30N45TTU

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50.4 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120(Pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 57 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для FGPF30N45TTU

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGPF30N45TTU даташит

 ..1. Size:605K  1
 fgpf30n45ttu.pdf pdf_icon

FGPF30N45TTU

April 2009 FGPF30N45T tm 450V, 30A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 30A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

 4.1. Size:605K  1
 fgpf30n45t.pdf pdf_icon

FGPF30N45TTU

April 2009 FGPF30N45T tm 450V, 30A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 30A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

Другие IGBT... IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGH75T65UPD , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.