FGPF30N45TTU - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGPF30N45TTU

Маркировка: FGPF30N45T

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50.4

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120(Pulse)

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 57

Емкость коллектора (Cc), pf: 88

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FGPF30N45TTU

FGPF30N45TTU Datasheet (PDF)

4.1. fgpf30n45t.pdf Size:605K _1

April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

Другие IGBT... IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , 10N40C1D , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND .