Справочник IGBT. FGPF30N45TTU

 

FGPF30N45TTU Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGPF30N45TTU
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50.4 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120(Pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 57 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FGPF30N45TTU

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGPF30N45TTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  1
 fgpf30n45ttu.pdf pdf_icon

FGPF30N45TTU

April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

 4.1. Size:605K  1
 fgpf30n45t.pdf pdf_icon

FGPF30N45TTU

April 2009FGPF30N45Ttm450V, 30A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new sesries oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 30Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

Другие IGBT... IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , IRGP4066D , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND .

History: TIG066SS | IKB20N60T | SGT60N60FD1PN | IXSM35N100A | CRG15T120BK3SD

 

 
Back to Top

 


 
.