IGF40T120F Todos los transistores

 

IGF40T120F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IGF40T120F

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 278

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 80

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 54

Capacitancia de salida (Cc), pF: 170

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de IGF40T120F - IGBT

 

IGF40T120F Datasheet (PDF)

0.1. igf40t120f.pdf Size:1113K _1

IGF40T120F
IGF40T120F

IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features: Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High

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