IGF40T120F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IGF40T120F  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF

Encapsulados: TO247

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IGF40T120F datasheet

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IGF40T120F

IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High

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