IGF40T120F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IGF40T120F

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 278

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 54

Емкость коллектора (Cc), pf: 170

Корпус: TO247

Аналог (замена) для IGF40T120F

IGF40T120F Datasheet (PDF)

0.1. igf40t120f.pdf Size:1113K _1

IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features: Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High

Другие IGBT... IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , STGB10NB37LZ , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , .