IGF40T120F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGF40T120F
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 278
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 54
Емкость коллектора (Cc), pf: 170
Корпус: TO247
Аналог (замена) для IGF40T120F
IGF40T120F Datasheet (PDF)
0.1. igf40t120f.pdf Size:1113K _1
IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features: Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High
Другие IGBT... IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , STGB10NB37LZ , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: FGL40N120AND | FGA40N65SMD | MGD622 | GT50N324 | BT60N60ANF | 2PG011 | MBQ40T65FDSC | IGF40T120F | FGPF30N45TTU | FGH40T65SHDF_F155 | IXBT15N170