Справочник IGBT. IGF40T120F

 

IGF40T120F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IGF40T120F

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 278

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 54

Емкость коллектора (Cc), pf: 170

Корпус: TO247

Аналог (замена) для IGF40T120F

 

 

IGF40T120F Datasheet (PDF)

0.1. igf40t120f.pdf Size:1113K _1

IGF40T120F
IGF40T120F

IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features: Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High

Другие IGBT... IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , STGB10NB37LZ , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , .

 

 
Back to Top