IGF40T120F - аналоги и описание IGBT

 

IGF40T120F - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGF40T120F

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IGF40T120F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGF40T120F даташит

 ..1. Size:1113K  1
 igf40t120f.pdf pdf_icon

IGF40T120F

IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High

Другие IGBT... IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , GT30F133 , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , MM10G3T120B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.