Справочник IGBT. IGF40T120F

 

IGF40T120F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGF40T120F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IGF40T120F

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGF40T120F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1113K  1
 igf40t120f.pdf pdf_icon

IGF40T120F

IGF40T120F Lead Free Package and Finish General Description Using advanced IGBT technology, the IGBT offers VCES VCE(sat) IC superior conduction and switching performances,high 1200V 1.9V 40A avalanche ruggedness. Features: Low saturation voltage and Quick switching saturation voltage is positive temperature relation and is easy to be used in parallel High

Другие IGBT... IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , CRG75T60AK3HD , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , MM10G3T120B .

History: 1MB08-120 | GM200HB12CT

 

 
Back to Top

 


 
.