FGA40N65SMD Todos los transistores

 

FGA40N65SMD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGA40N65SMD

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 349

Tensión colector-emisor (Vce): 650

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 80

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 20

Capacitancia de salida (Cc), pF: 180

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de FGA40N65SMD - IGBT

 

FGA40N65SMD Datasheet (PDF)

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FGA40N65SMD
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August 2014FGA40N65SMD650 V, 40 A Field Stop IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operatingfor solar inverter, UPS, welder, induction heating, telecom, ESS

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