FGA40N65SMD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGA40N65SMD

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 20

Емкость коллектора (Cc), pf: 180

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FGA40N65SMD

FGA40N65SMD Datasheet (PDF)

..1. fga40n65smd.pdf Size:1085K _1

August 2014FGA40N65SMD650 V, 40 A Field Stop IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operatingfor solar inverter, UPS, welder, induction heating, telecom, ESS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .