MM10G3T120B Todos los transistores

 

MM10G3T120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MM10G3T120B

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.85

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 17

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 29

Empaquetado / Estuche: TO247

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MM10G3T120B Datasheet (PDF)

0.1. mm10g3t120b.pdf Size:378K _macmic

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MM10G3T120B1200V 10A IGBTMarch 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS High frequency switching application1.Gate Medical appli

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