Справочник IGBT. MM10G3T120B

 

MM10G3T120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MM10G3T120B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 75 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM10G3T120B

 

 

MM10G3T120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  macmic
 mm10g3t120b.pdf

MM10G3T120B MM10G3T120B

MM10G3T120B1200V 10A IGBTMarch 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS High frequency switching application1.Gate Medical appli

Другие IGBT... IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , IHW40T60 , MM120G3T65BM , MM15G3T120B , MM20G3R135B , MM20G3T135B , MM25G3T120B , MM25G3U120BX , MM40G3T120B , MM40G3U120B .

 

 
Back to Top