MM10G3T120B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MM10G3T120B  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MM10G3T120B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM10G3T120B даташит

 ..1. Size:378K  macmic
 mm10g3t120b.pdf pdf_icon

MM10G3T120B

MM10G3T120B 1200V 10A IGBT March 2020 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery 1 2 3 APPLICATIONS High frequency switching application 1.Gate Medical appli

Другие IGBT... IGF40T120F, MBQ40T65FDSC, 2PG011, BT60N60ANF, GT50N324, MGD622, FGA40N65SMD, FGL40N120AND, IKW50N60H3, MM120G3T65BM, MM15G3T120B, MM20G3R135B, MM20G3T135B, MM25G3T120B, MM25G3U120BX, MM40G3T120B, MM40G3U120B