Справочник IGBT. MM10G3T120B

 

MM10G3T120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MM10G3T120B

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 29

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MM10G3T120B

 

 

MM10G3T120B Datasheet (PDF)

0.1. mm10g3t120b.pdf Size:378K _macmic

MM10G3T120B
MM10G3T120B

MM10G3T120B1200V 10A IGBTMarch 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS High frequency switching application1.Gate Medical appli

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top