MM75G3T65B Todos los transistores

 

MM75G3T65B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MM75G3T65B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 417 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 115 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MM75G3T65B datasheet

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MM75G3T65B

MM75G3T65B 650V 75A IGBT March 2020 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 650V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery 1 2 3 APPLICATIONS High frequency switching application 1.Gate Medical ap

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