MM75G3T65B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MM75G3T65B
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 417
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 115
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 40
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 360
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MM75G3T65B - IGBT
MM75G3T65B Datasheet (PDF)
mm75g3t65b.pdf
MM75G3T65B650V 75A IGBTMarch 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 650V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS High frequency switching application1.Gate Medical ap
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Liste
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