MM75G3T65B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MM75G3T65B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM75G3T65B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM75G3T65B даташит

 ..1. Size:350K  macmic
 mm75g3t65b.pdf pdf_icon

MM75G3T65B

MM75G3T65B 650V 75A IGBT March 2020 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 650V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery 1 2 3 APPLICATIONS High frequency switching application 1.Gate Medical ap

Другие IGBT... MM40G3T120B, MM40G3U120B, MM40G3U120BX, MM40G3U65B, MM40G3U65BN, MM50G3T120BM, MM50G3U120BMX, MM60G3U65B, IXRH40N120, MMG100D170B, MMG100D170B6TC, MMG100H120H6HN, MMG100HB060B6EN, MMG100J120U6HN, MMG100J120U6T4N, MMG100J120U6TC, MMG100J120UZ6HN