Справочник IGBT. MM75G3T65B

 

MM75G3T65B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MM75G3T65B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 360 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM75G3T65B

 

 

MM75G3T65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  macmic
 mm75g3t65b.pdf

MM75G3T65B MM75G3T65B

MM75G3T65B650V 75A IGBTMarch 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 650V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS High frequency switching application1.Gate Medical ap

Другие IGBT... MM40G3T120B , MM40G3U120B , MM40G3U120BX , MM40G3U65B , MM40G3U65BN , MM50G3T120BM , MM50G3U120BMX , MM60G3U65B , BT15T120ANF , MMG100D170B , MMG100D170B6TC , MMG100H120H6HN , MMG100HB060B6EN , MMG100J120U6HN , MMG100J120U6T4N , MMG100J120U6TC , MMG100J120UZ6HN .

 

 
Back to Top