IXDA20N120AS IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXDA20N120AS
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Encapsulados: TO263
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IXDA20N120AS datasheet
ixda20n120as.pdf
IXDA 20N120AS IC25 = 38 A High Voltage IGBT VCES = 1200 V VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA TAB 1 3 h TAB Features IGBT NPT IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V TO-263 package IC25 TC = 25 C 38 A - SMD ass
Otros transistores... IRG4ZH50KD , IRG4ZH70UD , IRG4ZH71KD , IRGBC20S , IRGBC30S , IRGBC40S , IRGS14B40L , IRGS14C40L , GT30F133 , IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 .
History: IRGBC40S | IXGH12N100AU1
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