Справочник IGBT. IXDA20N120AS

 

IXDA20N120AS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXDA20N120AS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXDA20N120AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  ixys
 ixda20n120as.pdf pdf_icon

IXDA20N120AS

IXDA 20N120ASIC25 = 38 AHigh Voltage IGBTVCES = 1200 VVCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA CapabilitySquare RBSOATAB13 hTABFeaturesIGBT NPT IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V - positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V TO-263 packageIC25 TC = 25C 38 A - SMD ass

Другие IGBT... IRG4ZH50KD , IRG4ZH70UD , IRG4ZH71KD , IRGBC20S , IRGBC30S , IRGBC40S , IRGS14B40L , IRGS14C40L , STGB10NB37LZ , IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.