MMGT40H120XB6C Todos los transistores

 

MMGT40H120XB6C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMGT40H120XB6C
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 258 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MMGT40H120XB6C Datasheet (PDF)

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MMGT40H120XB6C

MMGT40H120XB6C1200V 40A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

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History: RJP6016JPE | NGTB50N60FL2WG | IRG4BC20SD | STGW40H65DFB | 1MBH10D-120 | 1MBH25D-120

 

 
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