MMGT40H120XB6C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMGT40H120XB6C
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 258
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 40
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 210
Paquete / Cubierta: MODULE
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MMGT40H120XB6C Datasheet (PDF)
mmgt40h120xb6c.pdf
MMGT40H120XB6C1200V 40A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba
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Liste
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