MMGT40H120XB6C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMGT40H120XB6C

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 258

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.85

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 40

Empaquetado / Estuche: MODULE

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MMGT40H120XB6C Datasheet (PDF)

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MMGT40H120XB6C1200V 40A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

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