MMGT40H120XB6C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMGT40H120XB6C

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 258

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 40

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 210

Paquete / Cubierta: MODULE

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MMGT40H120XB6C Datasheet (PDF)

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MMGT40H120XB6C1200V 40A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

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