Справочник IGBT. MMGT40H120XB6C

 

MMGT40H120XB6C Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MMGT40H120XB6C
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MMGT40H120XB6C

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMGT40H120XB6C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  macmic
 mmgt40h120xb6c.pdf pdf_icon

MMGT40H120XB6C

MMGT40H120XB6C1200V 40A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

Другие IGBT... MMGT100J120UZ6C , MMGT100W120X6C , MMGT100WD120XB6C , MMGT10CB120XB6C , MMGT15CB120XB6C , MMGT15H120XB6C , MMGT200Q120B6C , MMGT25H120XB6C , IRGP4066D , MMGT50H120X6C , MMGT50W120X6C , MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U .

History: GT40T321

 

 
Back to Top

 


 
.