MMGT40H120XB6C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MMGT40H120XB6C  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MMGT40H120XB6C

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMGT40H120XB6C даташит

 ..1. Size:161K  macmic
 mmgt40h120xb6c.pdf pdf_icon

MMGT40H120XB6C

MMGT40H120XB6C 1200V 40A PIM Module September 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

Другие IGBT... MMGT100J120UZ6C, MMGT100W120X6C, MMGT100WD120XB6C, MMGT10CB120XB6C, MMGT15CB120XB6C, MMGT15H120XB6C, MMGT200Q120B6C, MMGT25H120XB6C, SGP30N60, MMGT50H120X6C, MMGT50W120X6C, MMGT50W120XB6C, MMGT75H120X6C, MMGT75W120X6C, MMGT75W120XB6C, MMGT75WD120XB6C, MMGTU75J120U