MMGTU75J120U Todos los transistores

 

MMGTU75J120U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMGTU75J120U
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 410 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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MMGTU75J120U Datasheet (PDF)

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MMGTU75J120U

MMGTU75J120U1200V 75A IGBT ModuleJuly 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS High frequency switching application

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History: TT075U065FQB | NGTB15N120FL2WG

 

 
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