MMGTU75J120U Todos los transistores

 

MMGTU75J120U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMGTU75J120U
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 410
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 400
   Paquete / Cubierta: SOT227

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MMGTU75J120U Datasheet (PDF)

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MMGTU75J120U
MMGTU75J120U

MMGTU75J120U1200V 75A IGBT ModuleJuly 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS High frequency switching application

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