MMGTU75J120U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMGTU75J120U
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 410
Tensión colector-emisor (Vce): 1200
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2
Tensión emisor-compuerta (Veg): 20
Corriente del colector DC máxima (Ic): 100
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Empaquetado / Estuche: SOT227
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MMGTU75J120U Datasheet (PDF)
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MMGTU75J120U1200V 75A IGBT ModuleJuly 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS High frequency switching application
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