MMGTU75J120U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMGTU75J120U
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 410
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 400
Paquete / Cubierta: SOT227
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MMGTU75J120U Datasheet (PDF)
mmgtu75j120u.pdf
MMGTU75J120U1200V 75A IGBT ModuleJuly 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS High frequency switching application
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Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ