MMGTU75J120U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMGTU75J120U  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 410 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Encapsulados: SOT227

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MMGTU75J120U datasheet

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MMGTU75J120U

MMGTU75J120U 1200V 75A IGBT Module July 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 Package APPLICATIONS High frequency switching application

Otros transistores... MMGT40H120XB6C, MMGT50H120X6C, MMGT50W120X6C, MMGT50W120XB6C, MMGT75H120X6C, MMGT75W120X6C, MMGT75W120XB6C, MMGT75WD120XB6C, SGT40N60FD2PT, FGA25S125P, JT015N065FED, 2M410A, 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G