Справочник IGBT. MMGTU75J120U

 

MMGTU75J120U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MMGTU75J120U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для MMGTU75J120U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMGTU75J120U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2743K  macmic
 mmgtu75j120u.pdf pdf_icon

MMGTU75J120U

MMGTU75J120U1200V 75A IGBT ModuleJuly 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS High frequency switching application

Другие IGBT... MMGT40H120XB6C , MMGT50H120X6C , MMGT50W120X6C , MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , TGD30N40P , FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G .

 

 
Back to Top

 


 
.