MMGTU75J120U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MMGTU75J120U  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MMGTU75J120U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMGTU75J120U даташит

 ..1. Size:2743K  macmic
 mmgtu75j120u.pdf pdf_icon

MMGTU75J120U

MMGTU75J120U 1200V 75A IGBT Module July 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 Package APPLICATIONS High frequency switching application

Другие IGBT... MMGT40H120XB6C, MMGT50H120X6C, MMGT50W120X6C, MMGT50W120XB6C, MMGT75H120X6C, MMGT75W120X6C, MMGT75W120XB6C, MMGT75WD120XB6C, CRG75T60AK3HD, FGA25S125P, JT015N065FED, 2M410A, 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G