MMGTU75J120U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MMGTU75J120U

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 410

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 45

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 400

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для MMGTU75J120U

MMGTU75J120U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2743K  macmic
 mmgtu75j120u.pdf

MMGTU75J120U1200V 75A IGBT ModuleJuly 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS High frequency switching application

Другие IGBT... MMGT40H120XB6C , MMGT50H120X6C , MMGT50W120X6C , MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , GT30J301 , FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G .