2M410B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2M410B
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 2М410Б
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
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2M410B Datasheet (PDF)
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History: VS-100MT060WSP | TT060U065FB | IRG4BC10UD | DM2G150SH12AE | 2MBI200UC-120 | IRGB4715D | MG200J6ES60
History: VS-100MT060WSP | TT060U065FB | IRG4BC10UD | DM2G150SH12AE | 2MBI200UC-120 | IRGB4715D | MG200J6ES60



Liste
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