Справочник IGBT. 2M410B

 

2M410B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2M410B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 2М410Б
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 2M410B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2M410B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  1
2m410a 2m410b 2m410b1 2m410v 2m410v1 2m410g.pdfpdf_icon

2M410B

2410,,1,,1, , :, ,

 ..2. Size:227K  russia
2m410b.pdfpdf_icon

2M410B

2410,,1,,1, , :, ,

 0.1. Size:227K  russia
2m410b1.pdfpdf_icon

2M410B

2410,,1,,1, , :, ,

 9.1. Size:227K  russia
2m410v.pdfpdf_icon

2M410B

2410,,1,,1, , :, ,

Другие IGBT... MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , TGPF30N43P , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T .

History: F12-35R12KT4G | IXGK35N120C | AOK40B60D

 

 
Back to Top

 


 
.