2M410B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: 2M410B

Тип транзистора: IGBT

Маркировка: 2М410Б

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 350

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 3.5

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 400

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 500

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для 2M410B

2M410B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  1
 2m410a 2m410b 2m410b1 2m410v 2m410v1 2m410g.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

 ..2. Size:227K  russia
 2m410b.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

 0.1. Size:227K  russia
 2m410b1.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

 9.1. Size:227K  russia
 2m410v1.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

 9.2. Size:227K  russia
 2m410g.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

 9.3. Size:227K  russia
 2m410v.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

 9.4. Size:227K  russia
 2m410a.pdf

2410,,1,,1, , :, ,

Другие IGBT... MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , SGP04N60 , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T .