2M410B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2M410B
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 2М410Б
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 350
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 3.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 400
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 500
Тип корпуса: MODULE
2M410B Datasheet (PDF)
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![2M410B](https://alltransistors.com/images/us.png)
![2M410B](https://alltransistors.com/images/es.png)
![2M410B](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ