2M410B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2M410B
Маркировка: 2М410Б
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 400
Емкость коллектора (Cc), pf: 500
Тип корпуса: MODULE
2M410B Datasheet (PDF)
..1. 2m410a 2m410b 2m410b1 2m410v 2m410v1 2m410g.pdf Size:227K _1
2410,,1,,1, , :, ,
..2. 2m410b.pdf Size:227K _russia
2410,,1,,1, , :, ,
0.1. 2m410b1.pdf Size:227K _russia
2410,,1,,1, , :, ,
9.1. 2m410v1.pdf Size:227K _russia
2410,,1,,1, , :, ,
9.2. 2m410g.pdf Size:227K _russia
2410,,1,,1, , :, ,
9.3. 2m410v.pdf Size:227K _russia
2410,,1,,1, , :, ,
9.4. 2m410a.pdf Size:227K _russia
2410,,1,,1, , :, ,
Другие IGBT... MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , SGP04N60 , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: MBQ40T65QES | FGPF70N33BT | CRG60T60AN3H | KDG40R12KT3 | KDG25R12KE3 | HMG60N60T | HMG60N60A | HMG40N65T | HMG40N60T | HMG40N60A | HMG20N65F