CI20T120P Todos los transistores

 

CI20T120P IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CI20T120P

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF

Encapsulados: TO-3P

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CI20T120P datasheet

 ..1. Size:423K  1
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CI20T120P

CI20T120P 20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance. 0.543(13.8) 0.197(5.00) 0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60) 0.065(1.65) 0.386(9.8) 0.057(1.45) 0.370(9.4) 0.219(5.55) 0.130(3.3) 0.203(5.15

 ..2. Size:422K  citcorp
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CI20T120P

CI20T120P 20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance. 0.543(13.8) 0.197(5.00) 0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60) 0.065(1.65) 0.386(9.8) 0.057(1.45) 0.370(9.4) 0.219(5.55) 0.130(3.3) 0.203(5.15

Otros transistores... FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , IRG4PC50UD , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD .

 

 

 


 
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